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1.移動設備戰(zhàn)火連鎖效應　三星晶圓代工現(xiàn)警訊
2.影音應用開枝散葉　USB 3.0滲透率加速攀升；
3.高通：核心數(shù)非重點，LTE芯片組已推到第4代；
4.聯(lián)發(fā)科、高通 新芯片拚場；
5.長電科技擬聯(lián)手中芯國際設立合資公司；
6.日電子零件廠積極投入MEMS研發(fā)領域
7.三星NAND Flash市占頻創(chuàng)新高　東芝擴產(chǎn)積極追趕

　　1.移動設備戰(zhàn)火連鎖效應　三星晶圓代工現(xiàn)警訊

　　三星電子(Samsung Electronics)在承接蘋果(Apple)CPU代工訂單后，一度讓旗下晶圓代工業(yè)務聲勢大增，在全球晶圓代工市場急速竄出，甚至與GlobalFoundries、聯(lián)電并列第二領先群，然蘋果將20奈米CPU代工訂單轉(zhuǎn)向臺積電，加上三星旗下行動裝置面臨競爭對手強力反撲，市占率成長速度恐將放緩、甚至出現(xiàn)衰退，連帶使得IC設計客戶對于三星晶圓代工廠投單意愿降低，恐導致三星晶圓代工產(chǎn)能利用率持續(xù)下滑，并讓晶圓代工業(yè)務陷入惡性循環(huán)困境。
　　近年來三星在智慧型手機及平板電腦等明星級行動裝置全球市占率漸增，躍居Google Android平臺陣營沖鋒戰(zhàn)將，但亦威脅到蘋果在行動裝置市場霸主地位，使得蘋果逐漸與三星漸行漸遠，并將20奈米CPU代工訂單轉(zhuǎn)投臺積電，讓三星高速成長的晶圓代工業(yè)務首度吞下苦果，2014年市占率恐將不增反減。
　　半導體業(yè)者指出，盡管三星家大業(yè)大，不斷戮力投資晶圓代工業(yè)務，持續(xù)砸大錢發(fā)展20及14奈米制程技術(shù)及擴充產(chǎn)能，但由于三星在行動裝置市場與客戶競爭，加上近期行動裝置競爭對手紛展開大反擊，全力捍衛(wèi)市占率，三星在晶圓代工領域若無法及時挽救流失蘋果訂單的連鎖效應，后續(xù)晶圓代工客戶很有可能接連抽單，讓三星晶圓代工業(yè)務在2014年面臨崩盤危機。
　　事實上，由于三星在智慧型手機、平板電腦及其他3C產(chǎn)品擁有市占率籌碼，過去有不少國內(nèi)、外IC設計業(yè)者都樂于在三星晶圓廠投片，三星旗下轉(zhuǎn)投資的IC設計業(yè)者更是當仁不讓，成為主要客戶群之一，但若三星旗下終端產(chǎn)品市占率成長速度放緩、甚至面臨衰退，加上最上游晶圓代工產(chǎn)能擴充速度相當快，將造成三星晶圓廠產(chǎn)能利用率持續(xù)下滑壓力，并讓三星晶圓代工業(yè)務陷入另一波的惡性循環(huán)過程。
　　半導體業(yè)者表示，過去包括聯(lián)電、世界先進、特許及和艦等晶圓代工廠，都曾經(jīng)因為球員兼裁判角色而有過慘痛經(jīng)驗，盡管在景氣較好及公司成長階段暫時看不太出來，然一旦景氣轉(zhuǎn)差或公司成長失速時，客戶及市占率流失的反作用力便會完全顯現(xiàn)出來。
　　臺積電董事長張忠謀曾表示，作為一家晶圓代工廠，領先的先進技術(shù)、卓越的制造能力及信任的客戶關系等3項核心關鍵競爭力缺一不可，其中又以信任的客戶關系更為重要，近年來三星及英特爾(Intel)不斷高喊要沖刺全球晶圓代工市場，投資額亦不斷增加，盡管放眼全球半導體產(chǎn)業(yè)，三星及英特爾所具備先進技術(shù)及制造能力優(yōu)勢，難有廠商能夠抗衡，但在客戶關系這一重要關卡，卻都遭遇瓶頸，不僅讓旗下晶圓代工業(yè)務拓展腳步不如預期，甚至可能因為市場變化而面臨營運風險。

　　360°：全球晶圓代工市場概況

　　根據(jù)市場研究機構(gòu)IC Insight的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2013年全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)中，以力晶的營收年成長率[敏感詞]，達88%。但由于力晶的營收基期較低，因此若單看前五大業(yè)者，以中芯國際的成長速度最快，為28%。三星電子晶圓代工營收的年成長率則為15%，比臺積電的營收年成長率稍微遜色2個百分點。
但若以營收規(guī)模來看，臺積電仍以198.50億美元營收[敏感詞]其他晶圓代工業(yè)者。排名第二的GlobalFoundries、第三名聯(lián)電、第四名三星電子、第五名中芯國際的營收總額都還不及臺積電。
展望2014年，三星電子在失去蘋果處理器代工訂單后，能否維持以往強勁的成長動能，還有待觀察。digitimes

　　2.影音應用開枝散葉　USB 3.0滲透率加速攀升；

　　第三代通用序列匯流排(USB 3.0)滲透率將顯著提升。先前USB 3.0在NAND快閃記憶體(Flash)產(chǎn)能未能配合的情況下，遲遲未能于儲存應用領域大展身手；不過，今年USB 3.0已迅速拓展至電視、車載資通訊系統(tǒng)與行動裝置等影音傳輸應用市場，可望提升市場滲透率。円星科技副總經(jīng)理張原熏指出，該公司的USB 3.0實體層IP整合高速混合訊號電路，支援5Gbit/s傳輸率，并向下相容USB 2.0與USB 1.1。円星科技副總經(jīng)理張原熏表示，盡管USB 3.0介面在數(shù)據(jù)傳輸率的效能優(yōu)勢大幅勝過前一代標準，但由于2013年大多數(shù)讀寫速度在200MB/s以上的NAND快閃記憶體多被用在智慧型手機的內(nèi)嵌式記憶體(eMMC)，因此在記憶體供應商有限、產(chǎn)能受擠壓的情況下，USB 3.0即使應用于儲存產(chǎn)品，也難與合適的快閃記憶體搭配，導致無法彰顯終端產(chǎn)品差異化優(yōu)勢，并削弱儲存產(chǎn)品開發(fā)商采用USB 3.0介面的意愿。

　　有鑒于此，USB 3.0晶片商已積極開拓儲存應用之外的市場，盼能于其他領域大展鴻圖。張原熏指出，由于USB 3.0同時具備高傳輸率與供電兩大優(yōu)勢，因此已迅速成為第二代高解析度多媒體介面(HDMI 2.0)在電視等影音應用市場的強勁對手。

　　據(jù)了解，聯(lián)發(fā)科/晨星的超高畫質(zhì)(UHD)電視主晶片已提供USB 3.0的介面支援，而未來中國大陸主要品牌廠商的電視也多將搭載至少一個USB 3.0接口，做為無線區(qū)域網(wǎng)路(Wi-Fi)或UltraGig Dongle插孔，從而實現(xiàn)與手機/平板等行動裝置間無線傳輸高畫質(zhì)(HD)影音的應用情境。

　　不僅如此，隨著主要應用處理器廠商高通(Qualcomm)、輝達(NVIDIA)、博通(Broadcom)等紛紛推出支援USB 3.0規(guī)格的新一代處理器，智慧型手機與平板電腦搭載USB 3.0介面，亦已是大勢所趨。
看好各式影音應用系統(tǒng)將大量導入USB 3.0晶片，円星科技積極投入USB 3.0實體層(PHY)矽智財(IP)開發(fā)，并已于日前成功通過臺積電矽智財驗證中心的測試。

　　張原熏強調(diào)，円星科技的USB 3.0實體層矽智財具備低晶片占位面積(僅競爭對手70%)、[敏感詞]至50毫安培(mA)的耗電以及高可靠度等多重優(yōu)勢，更重要的是，已全面適用于110奈米(nm)、55奈米、40奈米和28奈米等制程技術(shù)，可視特定應用積體電路(ASIC)客戶的應用需求，提供能夠最快速完成晶片整合設計的矽智財選項。新電子

　　3.高通：核心數(shù)非重點，LTE芯片組已推到第4代；

　　手機晶片大廠高通(Qualcomm)今(19日)召開媒體視訊聚會，由高通策略暨營運資深副總裁與高通投資人關系資深副總裁Bill Davidson說明今年營運展望。關于聯(lián)發(fā)科(2454)甫于日前宣布，推出全球[敏感詞]整合ARM Cortex-A17 CPU的4G LTE真八核智慧型手機系統(tǒng)單晶片解決方案MT6595，高通的看法為何？Bill Davidson重申，高通向來的重點就不是在追求核心數(shù)，而以往高通的單核心晶片在功耗與效能上都勝過對手的雙核、高通的雙核也力壓對手的四核，因此重點不在核心數(shù)目，而是如何達到功耗與效能的[敏感詞]平衡。不過關于未來是否走向八核心，高通也并未把話說死，Davidson表示「We never say never」。
　　Davidson也意有所指表示，高通的LTE晶片組已經(jīng)進展到第四代，而高通第四代的LTE單晶片組也已能支援所有載波聚合組合，反觀很多高通的競爭對手卻還在想辦法把[敏感詞]代的LTE晶片組做好。
　　他說明，高通的重點從來就不是追求核心數(shù)，而以往無論是高通在CPU、GPU的對手，都曾不斷拋出雙核心晶片比單核好、四核晶片又比雙核好的說法，惟事實證明，高通的單核心晶片在功耗與效能上都勝過對手的雙核、高通的雙核也力壓對手的四核。他表示，高通長年投入晶片微架構(gòu)的研發(fā)，且與ARM之間存在許多授權(quán)的協(xié)議，因此可在功耗與效能間取得好的平衡，惟競爭對手則只能靠不斷拉高核心數(shù)，來分擔各種工作。
　　Davidson 指出，高通的第四代LTE晶片組，在數(shù)據(jù)機晶片Gobi 9x35的部分，會采20奈米制程生產(chǎn)，至于射頻收發(fā)器晶片WTR 3925則將采28奈米制程。他也強調(diào)，高通未來也[敏感詞]會延續(xù)分散晶圓代工供應商策略的路子去走，這一方面也是由于高通晶片出貨量相當大，且公司過去 6~8年都采這樣的做法。
　　關于大陸[敏感詞]發(fā)改委召開價格監(jiān)管與反壟斷工作新聞發(fā)布會，并對高通(Qualcomm)進行調(diào)查，點名高通涉嫌濫用無線通訊標準。對此Davidson回應，調(diào)查內(nèi)容必須保密，因此高通無法給予評論。精實新聞

　　4.聯(lián)發(fā)科、高通 新芯片拚場；

　　全球手機芯片龍頭高通昨（19）日表示，將以新款驍龍（Snapdragon）410手機芯片主攻中國大陸市場，并將搶進快速興起的印度市場。
　　市場預期，高通將藉此擴大中低階智能手機市場布局，與聯(lián)發(fā)科（2454）的戰(zhàn)火將由中國延伸至印度，再度讓聯(lián)發(fā)科感受壓力。聯(lián)發(fā)科昨天漲1.5元、收435元。
　　聯(lián)發(fā)科與高通的戰(zhàn)火近期愈演愈烈，雙方互踩地盤。聯(lián)發(fā)科日前推出全球[敏感詞]4G LTE真八核智能機單芯片（SoC），將于上半年試樣，終端產(chǎn)品預計今年下半年上市，要分食高通高階市場市占。
　　聯(lián)發(fā)科4G真八核單芯片鎖定高階LTE機種，公司預期能擊敗高通下一世代的LTE高階芯片。據(jù)了解，包括聯(lián)想、酷派、中興等大陸品牌廠，都將于下半年導入使用聯(lián)發(fā)科4G真八核單芯片。
　　高通上季財報營收、獲利同創(chuàng)歷史新高，面對聯(lián)發(fā)科來勢洶洶，高通策略暨營運資深副總裁與高通投資人關系資深副總裁戴維森（Bill Davidson）昨日首度以視訊方式，向臺灣媒體說明今年營運展望。
　　戴維森對于競爭對手推出4G LTE芯片，淡定地說，高通的4G芯片已推動到第4代，不僅技術(shù)深具優(yōu)勢且資料傳輸速度比上代倍增，對手追趕會很辛苦。
　　至于市場聚焦的中國大陸，高通也將推出全新的驍龍410搶市。他說，這款芯片特別瞄準中國大陸市場，是全球[敏感詞]可滿足主流大眾市場64位元，同時支持4G LTE、1,300萬畫素的新款手機處理器。
　　他強調(diào)，高通這款芯片的策略，具低成本誘因，同時也將很多在高階手機才有的功能導入，讓中低階手機也兼具高階智能型手機的功能，他預料這款芯片將會很快看到效益，并顯現(xiàn)在財報。

　　5.長電科技擬聯(lián)手中芯國際設立合資公司；

　　長電科技2月19日晚間公告稱，公司董事會會議審議通過了《關于與中芯國際集成電路制造有限公司組建合資公司的議案》。

　　公告稱，為盡快進入國際國內(nèi)一流客戶的供應鏈，增強公司市場競爭力，推動和發(fā)展中國大陸的12英寸凸塊制造及倒裝封裝高端業(yè)務的發(fā)展，打造集成電路制造的本土產(chǎn)業(yè)鏈，公司擬與中芯國際集成電路制造有限公司(簡稱“中芯國際”)合資建立具有12英寸凸塊加工(Bumping)及配套測試能力的合資公司。

　　合資公司注冊資本擬定為5000萬美元，其中長電科技出資2450萬美元，占注冊資本的49%，中芯國際出資2550萬美元，占注冊資本的51%；雙方均以現(xiàn)金一次性出資。

　　此外，公司擬在與中芯國際集成電路制造有限公司合資建立的合資公司附近配套設立先進后段倒裝封裝測試的全資子公司，與中芯國際一起為國際國內(nèi)一流的客戶提供從芯片制造、中段封裝、到后段倒裝封裝測試的產(chǎn)業(yè)鏈全流程一站式服務。全資子公司注冊資本擬定為2億元，由公司以現(xiàn)金出資并按實施進度分期到位。

　　 6.日電子零件廠積極投入MEMS研發(fā)領域

　　日本電子零件廠當前積極從事微機電系統(tǒng)(MEMS)零件事業(yè)，進行各項感測器、麥克風等產(chǎn)品研發(fā)與推廣。

TDK從2008年購并德國Epcos起，便逐漸介入MEMS系統(tǒng)領域，朝通信、汽車、發(fā)電等市場發(fā)展，主要產(chǎn)品是微機電壓力感測器，2014年4月還要量產(chǎn)高噪訊比的微機電麥克風。

　　TDK的MEMS電麥克風，長3.35毫米、寬2.5毫米、高1毫米，在人耳所及的20~20000Hz領域音頻內(nèi)，噪訊比66dB(A)，131dB大音量下，音訊扭曲僅1%，適用于智慧型手機或隨身麥克風，可有效收錄復雜的聲音，減低失真。

　　村田制作所(Murata)在2012年購并芬蘭VTI Technology后進入MEMS產(chǎn)業(yè)，產(chǎn)品跨及汽車、電信、發(fā)電、生化與醫(yī)療各領域，其中高精度低加速度感測器、傾度感測儀方面，借VTI的20年以上產(chǎn)銷經(jīng)驗，全球市占居于[敏感詞]。

　　目前村田的重點MEMS產(chǎn)品是與汽車零組件有關的MEMS加速度計、傾斜計、陀螺儀等，以及結(jié)合上述感測器的汽車運動模組，成為村田進軍汽車零組件市場的重要產(chǎn)品。另外在可拋式氣象儀器方面，如MEMS氣壓計也有一定的重要性。

　　三美電機(Mitsumi Electric)將MEMS視為未來重點事業(yè)之一，于2013年10月將日本神奈川縣厚木事業(yè)所的半導體生產(chǎn)線，轉(zhuǎn)為MEMS設備生產(chǎn)線，預定將于2015年起開始生產(chǎn)。目前該廠開發(fā)的MEMS產(chǎn)品是汽車抬頭顯示器的雷射投影系統(tǒng)元件。

　　北陸工業(yè)則在2014年內(nèi)投資5億日圓(約492萬美元)，設立MEMS設備生產(chǎn)裝置，目標是MEMS感測器事業(yè)營收達100億日圓。北陸工業(yè)社長津田信治表示，該公司的成長戰(zhàn)略，將感測器事業(yè)視為重點，因此積極踏入MEMS領域作為未來公司核心事業(yè)。

　　目前北陸工業(yè)已開發(fā)出的MEMS系，是運動與受力感測器、加熱系統(tǒng)等，未來將朝溫度、濕度、氣壓感測器，以及多功能感測器模組方向發(fā)展。

　　360°：日本三美電機

　　三美電機(Mitsumi Electric)是日本大型電機公司，成立于1954年，是日本[敏感詞]歷史的電子零組件設計開發(fā)、制造公司之一，總部位于東京都多摩市。

　　該公司早期營運并不順利，直到90年代電腦革命崛起后，并以生產(chǎn)5.25吋磁碟機而快速發(fā)展。

　　三美電機自21世紀起開始專注于生產(chǎn)游戲機及手機零組件，并成為包括Panasonic、任天堂(Nintendo)、KDDI等公司的重要零組件供應商之一。目前該公司主要事業(yè)項目包括電氣機械器具的制造及銷售、計量機械器具、光學機械、醫(yī)療衛(wèi)生機械及電子工業(yè)應用產(chǎn)品的制造及銷售、金屬工業(yè)產(chǎn)品及金屬材料的制造及銷售、陶瓷業(yè)產(chǎn)品的制造及銷售。

　　根據(jù)該公司資料顯示，目前全球總員工人數(shù)約為3.46萬人，截至2013年3月底總銷售額為1,520.98億日圓。

　　7.三星NAND Flash市占頻創(chuàng)新高　東芝擴產(chǎn)積極追趕

　　三星電子(Samsung Electronics)在NAND Flash市占率頻創(chuàng)新高，東芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)也加速擴產(chǎn)位于日本四日市的NAND Flash晶圓廠Fab 5，SK海力士(SK Hynix)在大陸無錫廠恢復產(chǎn)能后，也將增產(chǎn)NAND Flash，預計非三星陣營的市占率可再提升。

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)不同于DRAM產(chǎn)業(yè)之處在于各大陣營間仍有軍備競賽，也持續(xù)擴充產(chǎn)能，主要是受惠NAND Flash主要應用在于成長性仍相當高的智慧手機、平板電腦、云端儲存上，包括三星、東芝等都有新廠房的產(chǎn)能增加，海力士和美光(Micron)兩陣營則都有產(chǎn)能調(diào)配，提升NAND Flash產(chǎn)業(yè)競爭力。

　　東芝和新帝位于日本四日市的新晶圓廠Fab 5，是東芝在當?shù)氐谌?2吋晶圓廠，在2013年決定進行第二階段擴產(chǎn)后，預計新產(chǎn)能會在2014年中完工，日前也傳出東芝決定砸下400億日圓擴產(chǎn)此廠房以利轉(zhuǎn)進新制程技術(shù)，從19奈米制程轉(zhuǎn)進16/17奈米制程，未來更進一步規(guī)劃轉(zhuǎn)進3D NAND制程技術(shù)。

　　三星西安廠的擴產(chǎn)則是業(yè)界最為擔心的事，預計西安廠的產(chǎn)能在2013年下半可逐漸出籠，且三星規(guī)劃西安廠房時，是以3D NAND技術(shù)最規(guī)劃，設備廠也傳出采購的機臺設備也是以3D NAND相關的機臺為主。

　　雖然日前外電指出，三星可能考慮暫緩西安廠第二階段(Phase 2)的投資，可能是因為3D NAND技術(shù)與傳統(tǒng)2D架構(gòu)的NAND Flash還沒有完全成熟，未來應用在對于品質(zhì)高的云端儲存、伺服器、固態(tài)硬碟(SSD)上恐有困難，另一方面是良率的考量，若勉強大量導入3D NAND技術(shù)，對三星而言也會不符合成本效應。

　　半導體業(yè)者認為，三星暫緩西安廠NAND Flash擴產(chǎn)投資，可舒緩NAND Flash產(chǎn)業(yè)供過于求的現(xiàn)況，也讓價格走勢可較為穩(wěn)定。

　　SK海力士在2013年第4季的NAND Flash市占率呈現(xiàn)下滑，不過，SK海力士2013年下半年因為大陸無錫廠的祝融之災，將南韓的NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)到DRAM上，作整體記憶體產(chǎn)能的調(diào)配，也犧牲了一些NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率，目前無錫廠已開始復工，之前轉(zhuǎn)到DRAM的產(chǎn)能會再轉(zhuǎn)回NAND Flash上。

　　以2013年第4季全球NAND Flash市占率來看，三星市占率持續(xù)上升，逼近40%，位居第二的東芝市占率從上季28%下滑至25%，第三名的美光從13%提升至15.4%，第4季的海力士下降至11.8%，英特爾(Intel)的市占率則是排名第五，市占率為7.8%。

　　以制程技術(shù)來看，NAND Flash大廠紛紛從19奈米制程持續(xù)往下微縮，轉(zhuǎn)進16/17奈米制程外，也開始進入3D NAND世代，定下三個目標，包括開始量產(chǎn)、積極提升良率以維持成本結(jié)構(gòu)改善，以及導入商用主流產(chǎn)品之列。

　　另一個產(chǎn)品趨勢，則是低成本的TLC型NAND Flash晶片導入大宗應用端，如手機用內(nèi)嵌式記憶體eMMC、eMCP，以及SSD產(chǎn)品領域上。

　　360°：4Q13 NAND Flash市場概況

　　在2013年第4季全球NAND Flash市場上，三星電子(Samsung Electronics)和美光(Micron)市占率提升，東芝(Toshiba)和SK海力士(SK Hynix)下滑，英特爾(Intel)幾乎是持平，其中三星電子的單季市占率更是幾乎逼近40%。

　　展望2014年，三星和東芝都有新產(chǎn)能加入營運，SK海力士則是產(chǎn)能配置將再改變，因此預計未來市占率仍有變化。

　　東芝積極擴充日本四日市的新晶圓廠Fab 5，預計會在2014年中完工，傳出東芝決定砸下400億日圓(約4億美元)擴產(chǎn)，以利轉(zhuǎn)進新制程技術(shù)，從19奈米制程轉(zhuǎn)進16/17奈米制程，以及布局未來3D NAND世代的制程技術(shù)。

　　三星的西安廠則一開始就預計導入3D NAND技術(shù)，但傳出此技術(shù)相較于傳統(tǒng)2D技術(shù)仍不成熟，一般推論，導入3D NAND技術(shù)上可行，但若是3D NAND技術(shù)良率未拉上來，則會增加生產(chǎn)成本，不符合大宗化標準型記憶體的成本結(jié)構(gòu)和量產(chǎn)原則。

　　根據(jù)市調(diào)機構(gòu)針對2013年第4季NAND Flash市場統(tǒng)計，三星市占率逼近40%，位居第二的東芝約25%，第三名的美光約15%，第四名SK海力士約11.8%，英特爾的市占率約7.8%，整個NAND Flash產(chǎn)業(yè)單季產(chǎn)值約61.68億美元。